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    CVD設備

    化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition (CVD))是指化學氣體或蒸汽在基質表面反應合成薄膜或納米材料的方法,其原理是利用氣態的先驅反應物,

    通過原子、分子間化學反應,使得氣態前驅體中的某些成分分解,而在基材上形成薄膜,

    是半導體工業中應用最為廣泛的用來沉積多種材料的技術,包括大范圍的絕緣材料,大多數金屬材料和金屬合金材料。

    CVD鍍膜特點

    鍍膜的繞鍍性好

    可涂鍍各種復雜形狀工件,特別對涂鍍帶有盲孔、溝、槽的基體以及在顆粒材料上沉積。

    更好的臺階覆蓋特性

    鍍層的化學成分可以改變,從而獲得梯度沉積物或者混合鍍層。

    鍍層密度和純度可控

    可準確控制薄膜的組分及摻雜水平使其組分具有理想化學配比。

    薄膜與基體間結合力強

    因沉積溫度高,鍍層與基體結合強度高,可大幅度改善晶體的結晶完整性。

    PECVD鍍膜設備

    PECVD鍍膜設備采用等離子體增強化學氣相沉積技術,在光學玻璃、硅、石英以及不銹鋼等不同襯底材料上沉積氮化硅、非晶硅和微晶硅等薄膜,
    用以制備非晶硅和微晶硅薄膜太陽電池器件。

    硬碳膜制備設備

    單室立式結構的高真空鍍膜設備,可用于開發單層膜—類金剛石膜(DLC)等。類金剛石膜具有紅外光譜透過率高、硬度高、摩擦系數小、化學穩定性好等優點,
    可以作為多種光學材料的增透膜和保護膜,起到抗磨損、抗腐蝕、抗潮解和抗氧化的作用。適用于紅外透鏡的研發等。

    高真空硬碳膜制備系統--FHL600
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    MOCVD鍍膜設備

    主要應用于有機金屬化合物半導體材料的研究和制備,為當今世界上生產半導體光電器件和微波器件材料的主要手段,
    如激光器、發光二極管、高效太陽能電池、光電陰極等的制備,是光電子等產業不可缺少的設備。

    金屬有機源氣相沉積系統--MOCVD
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