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    高真空脈沖激光濺射薄膜沉積系統--PLD450
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    高真空脈沖激光濺射薄膜沉積系統--PLD450

    系統主要由真空室、旋轉靶臺、基片加熱臺、工作氣路、抽氣系統、安裝機臺、真空測量及電控系統等部分組成。
    零售價
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    市場價
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    瀏覽量:
    1000
    產品編號
    真空室結構:
    球形前開門
    真空室尺寸:
    φ450mm
    極限真空度:
    ≤6.67E-6Pa
    沉積源:
    φ2英寸靶材,4個
    樣品尺寸,溫度:
    φ2英寸,1片,最高800℃
    占地面積(長x寬x高):
    約1.8米x0.97米x1.9米
    電控描述:
    全自動
    工藝:
    特色參數 :
    數量
    -
    +
    庫存:
    1
    產品描述
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    產品概述:
    系統主要由真空室、旋轉靶臺、基片加熱臺、工作氣路、抽氣系統、安裝機臺、真空測量及電控系統等部分組成。

    設備用途:
    脈沖激光沉積(Pulsed Laser DeposiTION,簡稱PLD)是新近發展起來的一項技術,繼20世紀80年代末成功地制備出高臨界溫度的超導薄膜之后,它獨特的優點和潛力逐漸被人們認識和重視。該項技術在生成復雜的化合物薄膜方面得到了非常好的結果。與常規的沉積技術相比,脈沖激光沉積的過程被認為是“化學計量”的過程,因為它是將靶的成分轉換成沉積薄膜,非常適合于沉積氧化物之類的復雜結構材料。當前脈沖激光制備技術在難熔材料及多組分材料(如化合物半導體、電子陶瓷、超導材料)的精密薄膜,顯示出了誘人的應用前景。
     

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